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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
62
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,388.0
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
5300
4200
Intorno 1.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
52
62
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
3,575.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
1,388.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
5300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
518
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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