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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

総合得点
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 62
    周辺 16% 低遅延
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,388.0 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 4200
    周辺 1.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 3,575.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 1,388.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 518

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