A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

52 62

Около 16% меньшая задержка

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,388.0 1,145.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

5300 4200

Около 1.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

52 62
Скорость чтения, Гб/сек

2,614.5 3,575.6
Скорость записи, Гб/сек

1,145.9 1,388.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 5300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

409 518

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM