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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
62
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,388.0
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
5300
4200
Por volta de 1.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
52
62
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
3,575.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
1,388.0
Largura de banda de memória, mbps
4200
5300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
518
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
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