RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
51
Intorno -46% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
35
Velocità di lettura, GB/s
15.6
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2155
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link