RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2155
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link