RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2155
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link