RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link