RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link