RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.4
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
2416
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link