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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
2416
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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