RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2155
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link