RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2155
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link