RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
96
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2155
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link