RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
96
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2155
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link