RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
96
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,834.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
96
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
2,585.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
1,834.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
519
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB Porównanie pamięci RAM
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link