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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
96
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,834.3
1,336.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
96
60
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
2,585.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
1,834.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
519
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
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takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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