RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
96
Por volta de -269% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3204
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link