RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3204
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link