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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2870
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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