RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2870
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link