RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2354
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link