A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Puntuación global
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 52
    En -68% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 1,145.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 4200
    En 4.57 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    52 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,614.5 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,145.9 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    409 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones