RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2955
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link