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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
52
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3435
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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