RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
52
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
19
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3435
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link