RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
66
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3279
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link