RAM-Vergleich Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 31

Rund um 13% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 16.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 11.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 21300

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2756 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns