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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 31
    周辺 13% 低遅延
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.5 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 20.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 15.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3649

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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