RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
RAM 2を選択
総合得点
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

レビューRAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB, 仕様、ベンチマーク

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB メモリモジュールレビュー. 主な技術特性およびPassMarkによるベンチマーク性能評価. すべてのデータを研究し、競合モデルと比較することをお勧めします。
仕様 性能試験 コメント

仕様

技術仕様の完全リスト
特徴
  • Type
    DDR4
  • 名称
    Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4
  • 特徴
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • メモリ帯域幅
    25600 mbps
  • タイミング / クロック速度

    * メーカーホームページをご確認ください。

    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
パスマークによるパフォーマンス
  • レイテンシー
    31 ns
  • 読み取り速度
    20.5 GB/s
  • 書き込み速度
    15.5 GB/s
# 1600 1866 2133 2400 2666 2800 3000 3200 3333 3400 3466 3600 3733 3866 4000 MT/s
8 10.00 8.57 7.50 6.67 6.00 5.71 5.33 5.00 4.80 4.71 4.62 4.44 4.29 4.14 4.00
9 11.25 9.65 8.44 7.50 6.75 6.43 6.00 5.63 5.40 5.29 5.19 5.00 4.82 4.66 4.50
10 12.50 10.72 9.38 8.33 7.50 7.14 6.67 6.25 6.00 5.88 5.77 5.56 5.36 5.17 5.00
11 13.75 11.79 10.31 9.17 8.25 7.86 7.33 6.88 6.60 6.47 6.35 6.11 5.89 5.69 5.50
12 15.00 12.86 11.25 10.00 9.00 8.57 8.00 7.50 7.20 7.06 6.92 6.67 6.43 6.21 6.00
13 16.25 13.93 12.19 10.83 9.75 9.29 8.67 8.13 7.80 7.65 7.50 7.22 6.96 6.73 6.50
14 17.50 15.01 13.13 11.67 10.50 10.00 9.33 8.75 8.40 8.24 8.08 7.78 7.50 7.24 7.00
15 18.75 16.08 14.06 12.50 11.25 10.71 10.00 9.38 9.00 8.82 8.66 8.33 8.04 7.76 7.50
16 20.00 17.15 15.00 13.33 12.00 11.43 10.67 10.00 9.60 9.41 9.23 8.89 8.57 8.28 8.00
17 21.25 18.22 15.94 14.17 12.75 12.14 11.33 10.63 10.20 10.00 9.81 9.44 9.11 8.79 8.50
18 22.50 19.29 16.88 15.00 13.50 12.86 12.00 11.25 10.80 10.59 10.39 10.00 9.64 9.31 9.00
19 23.75 20.36 17.82 15.83 14.25 13.57 12.67 11.88 11.40 11.18 10.96 10.56 10.18 9.83 9.50
20 25.00 21.44 18.75 16.67 15.00 14.29 13.33 12.50 12.00 11.76 11.54 11.11 10.72 10.35 10.00
CL

CASレイテンシは、データの読み出し要求から、その情報が利用可能になるまでのクロックサイクル数を測定します

性能試験

実機テスト Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
レイテンシー
パスマーク平均遅延時間
29 ns
29 ns
38 ns
33 ns
28 ns
29 ns
37 ns
33 ns
31 ns
31 ns
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
リード・アンキャッシュ転送速度
キャッシュを使用しない場合の平均メモリ読込時間
17.9 ns
18.3 ns
13.8 ns
16.1 ns
18.2 ns
18.5 ns
13.9 ns
16.1 ns
16.8 ns
20.5 ns
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
書き込み転送速度
平均書き込み速度
13.8 ns
14.5 ns
10.1 ns
11.7 ns
14.6 ns
14.4 ns
9.9 ns
13.0 ns
12.8 ns
15.5 ns
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
RAMを評価する
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

最新の比較

ポピュラーなRAM

Kingston 9905783-025.A01G 16GB Kingston 9905783-025.A01G 16GB 表示
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB 表示
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB 表示
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB 表示
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB 表示