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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Revisión RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB, especificaciones, puntos de referencia

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.
Especificaciones Pruebas de rendimiento Comentarios

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR4
  • Nombre
    Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4
  • Características
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Ancho de banda de la memoria
    25600 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    31 ns
  • Velocidad de lectura
    20.5 GB/s
  • Velocidad de escritura
    15.5 GB/s
# 1600 1866 2133 2400 2666 2800 3000 3200 3333 3400 3466 3600 3733 3866 4000 MT/s
8 10.00 8.57 7.50 6.67 6.00 5.71 5.33 5.00 4.80 4.71 4.62 4.44 4.29 4.14 4.00
9 11.25 9.65 8.44 7.50 6.75 6.43 6.00 5.63 5.40 5.29 5.19 5.00 4.82 4.66 4.50
10 12.50 10.72 9.38 8.33 7.50 7.14 6.67 6.25 6.00 5.88 5.77 5.56 5.36 5.17 5.00
11 13.75 11.79 10.31 9.17 8.25 7.86 7.33 6.88 6.60 6.47 6.35 6.11 5.89 5.69 5.50
12 15.00 12.86 11.25 10.00 9.00 8.57 8.00 7.50 7.20 7.06 6.92 6.67 6.43 6.21 6.00
13 16.25 13.93 12.19 10.83 9.75 9.29 8.67 8.13 7.80 7.65 7.50 7.22 6.96 6.73 6.50
14 17.50 15.01 13.13 11.67 10.50 10.00 9.33 8.75 8.40 8.24 8.08 7.78 7.50 7.24 7.00
15 18.75 16.08 14.06 12.50 11.25 10.71 10.00 9.38 9.00 8.82 8.66 8.33 8.04 7.76 7.50
16 20.00 17.15 15.00 13.33 12.00 11.43 10.67 10.00 9.60 9.41 9.23 8.89 8.57 8.28 8.00
17 21.25 18.22 15.94 14.17 12.75 12.14 11.33 10.63 10.20 10.00 9.81 9.44 9.11 8.79 8.50
18 22.50 19.29 16.88 15.00 13.50 12.86 12.00 11.25 10.80 10.59 10.39 10.00 9.64 9.31 9.00
19 23.75 20.36 17.82 15.83 14.25 13.57 12.67 11.88 11.40 11.18 10.96 10.56 10.18 9.83 9.50
20 25.00 21.44 18.75 16.67 15.00 14.29 13.33 12.50 12.00 11.76 11.54 11.11 10.72 10.35 10.00
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Latencia
Tiempo medio de retraso de PassMark
29 ns
29 ns
38 ns
33 ns
28 ns
29 ns
37 ns
33 ns
31 ns
31 ns
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Tiempo medio de lectura en memoria sin caché
17.9 ns
18.3 ns
13.8 ns
16.1 ns
18.2 ns
18.5 ns
13.9 ns
16.1 ns
16.8 ns
20.5 ns
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Velocidad de transferencia de escritura
Velocidad media de escritura
13.8 ns
14.5 ns
10.1 ns
11.7 ns
14.6 ns
14.4 ns
9.9 ns
13.0 ns
12.8 ns
15.5 ns
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