RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
76
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
1859
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
UMAX Technology 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link