RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
76
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
76
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1859
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link