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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
66
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3515
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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