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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
66
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3515
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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