RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
66
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2952
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link