RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
66
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2322
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link