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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
66
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2322
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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