RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
66
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2701
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link