RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
66
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
55
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2701
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link