RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
66
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3075
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link