RAM-Vergleich Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Gesamtnote

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

22 31

Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.7 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.7 7.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 17000

Rund um 1.25% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3075 1997

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns