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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 31
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.7 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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