A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Unterschiede

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,285.0 left arrow 18.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    18 left arrow 68
    Rund um -278% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 18
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,165.3 left arrow 20.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,285.0 left arrow 18.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    784 left arrow 3529
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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