RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,285.0
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
68
Rund um -278% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,165.3
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,285.0
18.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
3529
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link