RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2281
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link