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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2337
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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