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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2994
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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