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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3025
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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