RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
71
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1799
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link