RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2534
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link