RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
73
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1736
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link